Crescimento de diamante CVD em substratos de silício de grande área release_hf6oxdscpbho5gbhlfbez2vdzq

by João Roberto Moro, Vladimir Jesus Trava-Airoldi, Evaldo José Corat, João Eichenberger Neto, Amaurí Amorim, Arnaldo Ribeiro Alves

Published in Rem : Revista Escola de Minas by FapUNIFESP (SciELO).

Volume 63p279-285 (2010)

Abstract

Realizaram-se crescimentos de filmes de diamante por deposição química de vapor (CVD, do inglês Chemical Vapor Deposition) em substratos de silício (100), de grande área (80 cm²), em um reator de filamento quente (HFCVD), com taxas de crescimento superiores a 1,5 µm/h. Foi realizado o crescimento das amostras com diferentes fluxos gasosos e diferentes porcentagens de metano (CH4) em hidrogênio (H2). As amostras foram caracterizadas por microscopia óptica, eletrônica de varredura e por espectroscopia de espalhamento Raman. Tais análises acusaram a presença de diamante de alta pureza em todas as amostras.
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Type  article-journal
Stage   published
Year   2010
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In ISSN ROAD
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ISSN-L:  0370-4467
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Revision: 09e34a1d-50fb-453c-b174-b6966811aa82
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